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España crea un centro de I+D de chips semiconductores avanzados en Cataluña con fondos europeos

18 Jul 2026 En vigor: 18 Jul 2026 37 visitas
A quién afecta:
Sector tecnológico, investigadores en semiconductores, empresas de microelectrónica y administraciones implicadas

Resumen

El Estado, la Generalitat de Catalunya y la Fundación Innofab acuerdan construir un laboratorio de investigación de semiconductores avanzados. El proyecto InnoFAB incluye una sala limpia financiada con fondos Next Generation de la UE.

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El convenio formaliza la colaboración entre la Administración General del Estado (a través de SETT), la Generalitat de Catalunya y la Fundación Innofab para ejecutar el proyecto InnoFAB, un centro de I+D de chips semiconductores avanzados con sala limpia. Se enmarca en el PERTE Chip (C15.I8 del Plan de Recuperación), c…

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Título oficial completo

Orden TDF/733/2026, de 15 de julio, por la que se publica el Convenio con la Sociedad Española para la Transformación Tecnológica, la Generalitat de Catalunya y la Fundación Innofab, para el impulso, desarrollo y ejecución del proyecto Innofab relativo a un centro de investigación y desarrollo especializado en la tecnología y preproducción de chips basados en semiconductores avanzados.

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