BOE Importància: 6/10

Espanya crea un centre de R+D de xips semiconductors avançats a Catalunya amb fons europeus

18 Jul 2026 En vigor: 18 Jul 2026 37 visites
A qui afecta:
Sector tecnològic, investigadors en semiconductors, empreses de microelectrònica i administracions implicades

Resum

L'Estat, la Generalitat de Catalunya i la Fundació Innofab acorden construir un laboratori de recerca de semiconductors avançats. El projecte InnoFAB inclou una sala neta finançada amb fons Next Generation de la UE.

Anàlisi detallada PRO

El conveni formalitza la col·laboració entre l'Administració General de l'Estat (a través de SETT), la Generalitat de Catalunya i la Fundació Innofab per executar el projecte InnoFAB, un centre de R+D de xips semiconductors avançats amb sala neta. S'emmarca en el PERTE Chip (C15.I8 del Pla de Recuperació), amb finançam…

Contingut exclusiu PRO

Implicaciones prácticas, plazos y recomendaciones específicas para tu sector.

Desbloquear análisis PRO Ver planes y precios

Títol oficial complet

Orden TDF/733/2026, de 15 de julio, por la que se publica el Convenio con la Sociedad Española para la Transformación Tecnológica, la Generalitat de Catalunya y la Fundación Innofab, para el impulso, desarrollo y ejecución del proyecto Innofab relativo a un centro de investigación y desarrollo especializado en la tecnología y preproducción de chips basados en semiconductores avanzados.

Normatives relacionades