Dades clau
| Normativa | Ordre TDF/733/2026, de 15 de juliol |
|---|---|
| Publicació BOE | 18 de juliol de 2026 |
| Entrada en vigor | 18 de juliol de 2026 |
| Projecte | InnoFAB — Centre de I+D de xips semiconductors avançats amb sala neta |
| Pressupost infraestructura | 360,9 milions d'euros |
| Marc de financiació | PERTE Chip (component C15.I8 del Pla de Recuperació i Resiliència) |
| Font de fons | Mecanisme de Recuperació i Resiliència de la UE (Next Generation EU) |
| Fita europea vinculada | CID#455b (compliment parcial) |
| Tecnologies cobertes | Beyond-CMOS i CMOS |
| Base científica | Experiència de l'ICN2 (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) |
| Categoria | Canvis Normatius |
| Exercici | 2026 |
L'ecosistema de microelectrònica espanyol fa un salt sense precedents. Amb la publicació de l'Ordre TDF/733/2026 al BOE del 18 de juliol de 2026, queda formalitzat el conveni entre l'Administració General de l'Estat (a través de la Societat Espanyola per a la Transformació Tecnològica, SETT), la Generalitat de Catalunya i la Fundació Innofab per executar el projecte InnoFAB: un centre de recerca i desenvolupament especialitzat en tecnologia i preproducció de xips basats en semiconductors avançats.
Aquest projecte no és una declaració d'intencions. És una infraestructura amb sala neta, pressupost compromès i fita europea vinculada. I obri oportunitats concretes per a empreses del sector tecnològic i de microelectrònica a Espanya.
Què estableix aquesta normativa?
L'Ordre TDF/733/2026 publica el conveni tripartit que regula la col·laboració entre tres parts per executar el projecte InnoFAB:
| Part signant | Rol en el conveni |
|---|---|
| Societat Espanyola per a la Transformació Tecnològica (SETT) — Administració General de l'Estat | Entitat executora i canal de financiació del PERTE Chip |
| Generalitat de Catalunya | Administració territorial coimpulsora del projecte |
| Fundació Innofab | Entitat gestora i executora del centre InnoFAB |
El projecte InnoFAB té com a objectiu construir i operar un centre de I+D amb sala neta especialitzat en tecnologia i preproducció de xips semiconductors avançats. Les tecnologies cobertes són dues:
- CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor): la tecnologia dominant en la fabricació de xips convencionals.
- Beyond-CMOS: tecnologies de següent generació que superen els límits físics del CMOS, com espintrònica, fotònica integrada o computació quàntica aplicada.
El centre es construeix sobre l'experiència acumulada de l'ICN2 (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) i té com a missió tancar la bretxa entre la investigació bàsica i la producció comercial de semiconductors, una debilitat estructural que Europa ha reconegut com a crítica després de la crisi de subministrament de xips de 2021-2022.
El projecte contribueix al compliment parcial de la Fita CID#455b del Mecanisme de Recuperació i Resiliència de la UE, la qual cosa implica que Espanya ha d'acreditar avanços davant la Comissió Europea per rebre els fons compromesos en el Pla de Recuperació.
Impacte econòmic i operatiu
Els 360,9 milions d'euros compromesos per a la infraestructura de sala neta converteixen InnoFAB en una de les inversions en I+D tecnològic més grans de la història recent d'Espanya. Aquesta xifra cobreix exclusivament la infraestructura física (sala neta, equipament especialitzat), sense incloure costos operatius futurs ni programes de recerca associats.
Des del punt de vista de l'ecosistema empresarial, l'impacte es tradueix en:
- Accés a capacitats de preproducció que fins ara obligaven a empreses espanyoles a externalitzar en centres europeus (IMEC a Bèlgica, Fraunhofer a Alemanya) o asiàtics.
- Reducció de costos i temps en el cicle de desenvolupament de xips per a empreses que puguin accedir al centre.
- Infraestructura única a Espanya i singular a Europa per a tecnologies beyond-CMOS, la qual cosa posiciona Catalunya com a pol d'atracció d'inversió en microelectrònica.
- Demanda de proveïdors especialitzats: la construcció i operació del centre generarà contractes en enginyeria, equipament científic, manteniment de sales netes i serveis tecnològics.
A qui afecta?
- Empreses de microelectrònica i disseny de xips amb seu o activitat a Espanya: accés potencial a infraestructura de preproducció sense sortir del país.
- Startups i scale-ups tecnològiques en semiconductors, fotònica, computació quàntica o sensòrica avançada.
- Centres de recerca i universitats que col·laborin amb l'ICN2 o la Fundació Innofab.
- Proveïdors d'equipament científic i industrial: sala neta, litografia, deposició de capes, caracterització de materials.
- Empreses de construcció i enginyeria especialitzada en infraestructures d'alta tecnologia.
- Administracions públiques (Generalitat de Catalunya, AGE) amb compromisos de seguiment i justificació davant la UE.
- Inversors i fons de capital risc interessats en l'ecosistema deeptech espanyol.
Exemple pràctic
Una empresa espanyola de disseny de xips (fabless) que actualment envia els seus prototips a IMEC (Bèlgica) per a preproducció incorre en costos d'accés, transport de mostres, temps d'espera de setmanes i dependència d'agendes externes. Amb InnoFAB operatiu a Catalunya, aquesta mateixa empresa podria accedir a una sala neta amb tecnologia beyond-CMOS en territori nacional, reduint la fricció logística i el temps de cicle de desenvolupament.
Del mateix mode, un proveïdor d'equipament de litografia o deposició de capes primes que vulgui posicionar-se com a subministrador del centre InnoFAB ha d'estar atent als processos de licitació que la Fundació Innofab —com a entitat gestora— haurà de publicar per a l'adquisició d'equips per valor de part dels 360,9 milions d'euros pressupostats.
Què han de fer les empreses ara?
- Identificar si la teva empresa pot ser usuària de InnoFAB: si dissenyes, investigues o produïxes en l'àmbit de semiconductors, fotònica, MEMS o tecnologies beyond-CMOS, contacta amb la Fundació Innofab i l'ICN2 per explorar condicions d'accés al centre.
- Monitoritzar les licitacions públiques: l'execució dels 360,9M€ en infraestructura generarà contractes públics. Registra la teva empresa a la Plataforma de Contractació del Sector Públic i activa alertes per a licitacions vinculades a InnoFAB, SETT o la Fundació Innofab.
- Explorar financiació complementària del PERTE Chip: el projecte InnoFAB és una peça del PERTE Chip més ampli. Revisa si la teva empresa pot optar a altres línies d'ajuda del component C15 del Pla de Recuperació.
- Avaluar la relocalització o expansió d'activitats I+D a Catalunya: l'existència d'una infraestructura única a Espanya pot justificar decisions de localització per a empreses deeptech que busquin proximitat a capacitats de preproducció.
- Seguir el compliment de la Fita CID#455b: si la teva empresa participa en projectes vinculats al Pla de Recuperació, tingues en compte que InnoFAB és part del compliment d'aquesta fita europea, la qual cosa afecta a calendaris i justificacions.
Preguntes freqüents
Quant costa la infraestructura del centre InnoFAB?
El pressupost d'infraestructura de sala neta del projecte InnoFAB ascendeix a 360,9 milions d'euros, financiats a través del PERTE Chip (component C15.I8 del Pla de Recuperació i Resiliència) amb fons del Mecanisme de Recuperació i Resiliència de la UE.
Què és el PERTE Chip i com es relaciona amb InnoFAB?
El PERTE Chip és el Projecte Estratègic per a la Recuperació i Transformació Econòmica de l'ecosistema de semiconductors a Espanya. InnoFAB s'emmarca en el seu component C15.I8 del Pla de Recuperació i contribueix al compliment parcial de la Fita europea CID#455b.
Qui són els signants del conveni InnoFAB?
El conveni és tripartit: la Societat Espanyola per a la Transformació Tecnològica (SETT) en representació de l'Administració General de l'Estat, la Generalitat de Catalunya i la Fundació Innofab. L'Ordre TDF/733/2026, de 15 de juliol, publica formalment aquest conveni al BOE.
Quines tecnologies de xips cobreix el centre InnoFAB?
InnoFAB cobriria tecnologies CMOS (la tecnologia estàndard de fabricació de xips) i beyond-CMOS (tecnologies de següent generació que superen els límits físics del CMOS). Es basa en l'experiència de l'ICN2 (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia).
Quan entra en vigor el conveni i quan estarà operatiu el centre?
El conveni publicat mitjançant l'Ordre TDF/733/2026 va entrar en vigor el 18 de juliol de 2026, data de publicació al BOE. El termini de construcció i posada en marxa del centre InnoFAB no està especificat en les dades publicades; dependrà del calendari d'execució del projecte i les fites del Pla de Recuperació.
Font oficial
Consulta la normativa completa a font oficial — BOE-A-2026-15736
Avís: Aquest article té caràcter merament informatiu i no constitueix assessorament legal. Per a decisions específiques, consulta a un professional qualificat. Font: https://www.boe.es/diario_boe/txt.php?id=BOE-A-2026-15736